2019 Q2 Hynix akan menghasilkan memori proses 10nm generasi kedua

  SK hynix baru-baru ini mengungkapkan bahwa perusahaan akan meningkatkan proses pembuatan 10 nanometer generasi pertama (yaitu 1X nm) produksi DRAM, dan akan mulai menjual teknologi pembuatan 10 nanometer generasi kedua (juga dikenal sebagai 1Y nm) di paruh kedua tahun tahun. Ingatan. Mempercepat transisi ke teknologi 10nm akan memungkinkan perusahaan untuk meningkatkan output DRAM, pada akhirnya mengurangi biaya dan mempersiapkan memori generasi berikutnya.

Produk pertama yang diproduksi menggunakan teknologi produksi SK Hynix 1Y nm adalah chip memori DDR4-3200 8Gb. Pabrikan mengatakan dapat mengurangi ukuran chip perangkat DDR4 8Gb sebesar 20% dan mengurangi konsumsi daya sebesar 15% dibandingkan dengan perangkat serupa yang dibuat menggunakan teknologi manufaktur 1X nm. Selain itu, chip 8GB DDR4-3200 SK hynix yang akan datang memiliki dua peningkatan penting: skema clocking 4 fase dan teknologi kontrol amplifier Sense.

Meskipun teknologi ini penting bahkan untuk DDR4 tahun ini, dikatakan bahwa SK hynix akan menggunakan proses manufaktur 1Y nm untuk memproduksi DRAM DDR5, LPDDR5 dan GDDR6. Oleh karena itu, Hynix harus memutakhirkan teknologi pembuatan 10 nanometer generasi kedua sesegera mungkin untuk mempersiapkan masa depan.